铁电随机存取内存

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FeRAM

铁电随机存取记忆体Ferroelectric RAM,缩写为FeRAMFRAM),类似于SDRAM,是一种随机存取存储器技术。但因为它使用了一层有铁电性的材料,取代原有的介电质,使得它也拥有非挥发性记忆体的功能。麻省理工大学达德利·艾伦·巴克(Dudley Allen Buck)在1952年提出的硕士论文中,首次提出了这个概念。